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71M6521BE
Energy Meter IC
DATA SHEET
JANUARY 2008
TIMING SPECIFICATIONS
RAM AND FLASH MEMORY
PARAMETER
CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNIT
CKMPU = 4.9MHz
5
Cycles
CE DRAM wait states
CKMPU = 1.25MHz
CKMPU = 614kHz
2
1
Cycles
Cycles
Flash Read Pulse Width
Flash write cycles
Flash data retention
Flash data retention
Flash byte writes between page or mass
erase operations
V3P3A=V3P3SYS=0
BROWNOUT MODE
-40°C to +85°C
25°C
85°C
30
20,000
100
10
100
2
ns
Cycles
Years
Years
Cycles
FLASH MEMORY TIMING
PARAMETER
CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNIT
Write Time per Byte
Page Erase (512 bytes)
Mass Erase
EEPROM INTERFACE
42
20
200
μs
ms
ms
Write Clock frequency ( I C )
PARAMETER
2
Write Clock frequency (3-wire)
CONDITION
CKMPU=4.9MHz, Using
interrupts
CKMPU=4.9MHz, “bit-
banging” DIO4/5
CKMPU=4.9MHz
MIN
TYP
78
150
500
MAX
UNIT
kHz
kHz
kHz
RESET
PARAMETER
CONDITION
MIN
TYP
MAX
UNIT
Reset pulse width
Reset pulse fall time
FOOTNOTES
5
1
μs
μs
1
2
3
4
This spec is guaranteed, has been verified in production samples, but is not measured in production.
This spec is guaranteed, has been verified in production samples, but is measured in production only at DC.
This spec is measured in production at the limits of the specified operating temperature.
This spec defines a nominal relationship rather than a measured parameter. Correct circuit operation is verified with
other specs that use this nominal relationship as a reference.
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? 2005-2008 TERIDIAN Semiconductor Corporation
V1.0
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720-10021-00300 CBL DSUB 9PIN FML-9PIN FEMAL 3M
72231-0881 8 POS T/P SHLD 4 GR ASSY
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